Taiwan Semiconductor 600V ， 3A ， 1。4Ω Ω ， 3 引腳， N 溝道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強(qiáng)溝道模式。它通常用于電源和照明應(yīng)用。

超接合技術(shù)
小品質(zhì)因數(shù)確保高性能
高堅(jiān)固性性能
高換向性能
經(jīng)過 100% UIL 測試
無鉛電鍍
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 IN
符合 WEEE 2002/96/EC
無鹵素，符合 IEC 61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 38W
柵極閾值電壓范圍為 2V-4V