當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):SiHD5N80AE-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Vishay E 系列功率 MOSFET 可減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Co (er))
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 4.4 A |
最大漏源電壓 | 850 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 1.35. Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 4 |