Vishay e 系列功率 mosfet 采用 dak ( o252 )封裝類型、采用單配置。
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容(吻)
減少切換和傳導(dǎo)損耗
超低柵極電荷 (Qg)
雪崩能量等級( uis )
集成齊納二極管 esd 保護
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 8 A |
最大漏源電壓 | 800 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.391. Ω |
最大柵閾值電壓 | 2 → 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |