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訂 貨 號(hào):SIHG20N50E-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Vishay E 系列 MOSFET 電源是高電壓晶體管,具有超低最大接通電阻、低靈敏值和快速切換功能。 它們提供各種電流額定值。 典型應(yīng)用包括服務(wù)器和電信電源、LED 照明、回掃轉(zhuǎn)換器、功率因數(shù)校正 (PFC) 和開關(guān)模式電源 (SMPS)。
低靈敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低輸入電容 (Ciss)
低接通電阻(RDS(接通))
超低柵極電荷 (Qg)
快速切換
減少切換和傳導(dǎo)損耗
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 19 A |
最大漏源電壓 | 500 V |
封裝類型 | TO-247AC |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 180 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 179 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
長(zhǎng)度 | 15.87mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 46 nC @ 10 V |
寬度 | 5.31mm |