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      Vishay SIHW21N80AE-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SIHW21N80AE-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環 球 價: 登陸后可查看

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      Vishay SIHW21N80AE-GE3 MOSFET
      產品詳細信息

      E 系列功率 MOSFET 。

      低品質因數 (FOM) Ron x Qg
      低有效電容( CO ( ER ))
      減少切換和傳導損耗
      應用
      服務器和電信電源
      開關模式電源 (SMPS)
      功率因數校正電源 (PFC)


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 17.4 A
      最大漏源電壓 800 V
      封裝類型 TO-247AD
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 235 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 32 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±30 V
      典型柵極電荷@Vgs 48 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 16.26mm
      寬度 5.31mm
      每片芯片元件數目 1
      暫無

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