產(chǎn)品分類(lèi)

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      Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號(hào):SiDR392DP-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      TrenchFET? Gen IV power MOSFET
      Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
      Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss


      屬性 數(shù)值
      通道類(lèi)型 N
      最大連續(xù)漏極電流 100 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類(lèi)型 SO-8
      安裝類(lèi)型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 900 μΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.2V
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 125 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 +20 V、+6 V
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 5mm
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 125 nC @ 10 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      長(zhǎng)度 5.99mm
      暫無(wú)

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