此 P 通道 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench ? 工藝制造，該工藝已針對(duì) RDS (on) 、開關(guān)性能和堅(jiān)固性進(jìn)行了優(yōu)化。

最大 RDS (on) =183 M Ω ， VGS =-10 V ， ID =-2.1 A
最大 RDS (on) =247 M Ω ， VGS =-4.5 V ， ID =-1.9 A
高性能溝槽技術(shù)，用于極低的 RDS (on)
高功率和電流處理能力，采用廣泛使用的表面安裝封裝
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應(yīng)用。
負(fù)載開關(guān)
同步整流器