低 VCEsat (BISS) 單結功率晶體管滿足高效運行的要求。在大功率系統中，節能運行對低功耗應用同樣重要。通過最大限度地降低功耗和散熱，我們的 BISS 解決方案可幫助您應對這一設計挑戰。
100 V，3A PNP 大功率雙極晶體管，NPN 大功率雙極晶體管采用 SOT669 (LFPAK56) 表面貼裝器件 (SMD) 功率塑料封裝。PNP 互補型：PHPT61003PY
高熱功耗能力
適用于高達 175 °C 的高溫應用
與 DPAK 封裝的晶體管相比，減少了印刷電路板 (PCB) 的需要
由于產生較少的熱量，因此具有高能源效率
符合 AEC-Q101
電源管理
負載開關
線性模式電壓調節器
背光應用
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 晶體管類型 | PNP |
| 最大直流集電極電流 | -3 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | -100 V |
| 封裝類型 | LFPAK56, SOT669 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 25 W |
| 最小直流電流增益 | 150 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大集電極-基極電壓 | -100 V |
| 最大發射極-基極電壓 | -8 V |
| 最大工作頻率 | 125 MHz |
| 引腳數目 | 4 + Tab |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
