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nductor Insights公司發現美光的95nm 512Mb  DDR2、78nm 1Gbit DDR3和 78nm 2Gbit DDR2 DRAM都采用了基于6F2的設計。Semiconductor Insights公司最近在分析了三星的80nm DDR2器件后透露道,三星在其Rev. E DRAM中也采用了基于6F2的設計。通過比較三星的6F2 80nm DDR2 DRAM和8F2 90nm DDR2器件設計后可以總結出6F2的優劣及設計挑戰。通過對比三星基于6F2的80nm DDR2設計與現代公司基于8F2的80nm DDR2器件,就可以直接比較基于6F2和基于8F2的設計。

nductor Insights的分析顯示,三星設計團隊采用6F2技術開發的新的512Mb  DDR2 DRAM與前一代設計看起來有很大不同。每個陣列塊(包含單元陣列和位線檢測放大器的創建塊)現在具有320個字線(wordline),比90nm 8F2設計的每塊512個字線要少。似乎三星是減少了與位線連接的單元數量,以減輕陣列噪聲效應,并幫助6F2陣列設計中的檢測和恢復操作。

表1:三星8F2和6F2設計的比較。

nductor Insights分析了兩款分別來自三星和現代的具有可比性的80nm DDR2設計(表2)。

表2:80nm DDR2 DRAM設計比較:6F2對8F2。

圖1:三星的90nm 512Mb DDR2 DRAM(Rev.C)繼續采用8F2架構。

圖2:三星的80nm 512Mb DDR2 DRAM(Rev.E)轉用6F2設計。

作者:Young Choi

存儲器技術經理

Semiconductor Insights公司