ay: block;">本文描述了電路中微型電阻可能會遇到的瞬態(tài)脈沖造成的故障。
作者: Joachim von der Ohe
應(yīng)用市場經(jīng)理
BC Components公司
了解電阻可能會遇到的瞬態(tài)脈沖類型非常重要,它有助于選擇正確的功率等級,那些僅基于正常DC功率等級的計算常會導(dǎo)致電阻元件的故障。
雖然許多設(shè)計師采取了大量措施使IC免受靜電放電或浪涌電流的破壞,但他們也許沒有意識到這樣的瞬態(tài)脈沖信號也會損壞電阻器件。許多電阻常集中放置在可能會產(chǎn)生瞬態(tài)脈沖信號的場合,如靠近電源的地方,而且現(xiàn)在大量使用的微型表面貼裝電阻的散熱面積很小,使它們不能在吸收高能量脈沖的同時免遭損壞。即使瞬態(tài)脈沖信號沒有對電阻造成永久性損壞,電阻歐姆值也會有不同程度的改變。
事實(shí)上,包括BC Components公司生產(chǎn)的電阻在內(nèi)的所有金屬膜柱狀電阻現(xiàn)在都是采用高鋁質(zhì)陶瓷基底制造,這些基底都具有很高的導(dǎo)熱性能。這種結(jié)構(gòu)能使熱量較容易地傳送到電阻兩端并傳導(dǎo)到印制板,因此與傳統(tǒng)電阻相比,這些電阻的熱聚集(hot-spots)不明顯,熱量散發(fā)得更加均衡。對于給定的熱聚集溫度來說,相當(dāng)于提高了電阻的整體功率等級。因此,現(xiàn)在已經(jīng)可以用精確線繞電阻來制造具有連續(xù)功率等級的微型電阻,有些功率等級可能比預(yù)計的要高。
然而由時間非常短的瞬態(tài)脈沖信號產(chǎn)生的熱量卻不能足夠快地散發(fā)到基底上,因此容易形成能熔化繞線材料的熱聚集。為了預(yù)知何時何地會產(chǎn)生這樣的熱聚集,需要建立比傳統(tǒng)“理想電阻層”模型復(fù)雜得多的電阻模型。比如等效電路模型必須考慮電阻層固有的不一致性以及電阻材料激光調(diào)節(jié)端點(diǎn)上的場強(qiáng)。
這種更復(fù)雜的模型允許根據(jù)脈沖周期確定多種不同類型的熱聚集現(xiàn)象。它們能方便地劃分成4個不同的區(qū)域,如圖1所示。
區(qū)域1中很短的脈沖周期通常是靜電放電(ESD)或閃電雷擊形成的瞬態(tài)脈沖周期,此時所有的熱量將保留在電阻層中,熱量沒有足夠的時間滲透到陶瓷框架或外部保護(hù)涂層。對于柱狀電阻,這種瞬態(tài)脈沖峰值Ppeak正比于d/ti,d代表繞線層厚度,ti代表脈沖寬度。
當(dāng)脈沖周期在1us到10ms之間(圖1中的區(qū)域2)時,熱聚集上產(chǎn)生的熱量可以滲透到柱狀基底但沒有足夠時間沿著基底傳播。放電脈沖是典型實(shí)例,此時Ppeak正比于1/√ti。
當(dāng)脈沖寬度在10ms到1s之間(圖1中的區(qū)域3)時,熱量有足夠的時間滲透到基底并沿著基底散發(fā),此時Ppeak正比于1/ti。
脈沖時間更長的情形接近正常DC負(fù)載斷開時的情形(圖1中的區(qū)域4)。
因此了解電阻可能遇到的瞬態(tài)脈沖類型非常重要,它有助于選擇正確的功率等級,那些僅基于正常DC功率等級的計算常會導(dǎo)致電阻的故障。
除了薄膜電阻螺旋狀繞線的不一致性以外,當(dāng)螺旋狀繞線到達(dá)螺旋環(huán)終點(diǎn)時仍會有潛在的故障發(fā)生點(diǎn)。這些點(diǎn)上聚集的大量電流所導(dǎo)致的不均勻電流密度也會產(chǎn)生熱聚集現(xiàn)象。這種效應(yīng)同樣會發(fā)生在采用曲線方式以延長繞線長度的薄膜芯片電阻上,除此之外,在曲線改變方向的任何點(diǎn)上都會產(chǎn)生由電流聚集引起的電阻熱聚集,通過認(rèn)真選擇曲線的半徑可以減小甚至消除這些電流聚集效應(yīng),然而不同的廠商一般會采用不同的曲線形狀,這就意味著其它等效電阻(DC特性方面的描述)在相同脈沖電壓下可能會有不同的壽命。
厚膜電阻
厚膜電阻脈沖性能的預(yù)測比薄膜電阻困難,因?yàn)楹衲げ牧现须娏髁鲃哟嬖诠逃械牟灰恢滦?制造工藝的特性存在不確定性,因此,這種電阻的公開曲線通常是通過直接測試得到。與傳統(tǒng)電阻一樣,熱能集中在激光凹槽的末端,激光切割類型會影響熱性能。例如,L型切割時在這些點(diǎn)的熔化熱量要比1字型切割低。激光調(diào)整的影響非常大,經(jīng)激光調(diào)整過的電阻的脈沖負(fù)載能力可能只有未調(diào)整電阻的三分之一或四分之一。一般來說厚膜電阻的脈沖負(fù)載能力要比柱狀電阻低。
