發布日期：2022-07-15 點擊率：64
IBM日前宣布推出被稱為8HP的第四代硅鍺Foundry技術,據稱其性能可達到上一代技術的兩倍以上。這種全新的130納米硅鍺雙極互補金屬氧化半導體(SiGe-BiCMOS)Foundry技術可以降低移動消費類電子產品的成本,推動高帶寬無線通信的發展,并應用在放撞汽車雷達等創新應用上。
在推出8HP的同時,IBM還推出了一種專為支持無線應用而設計的低成本版本8WL,這一版本可延長電池工作時間并增加了移動手持設備的功能,以推廣無線局域網(Wi-Fi)和全球衛星定位技術(GPS)的應用。
IBM系統與科技事業部首席技術專家Bernie Meyerson表示:“硅鍺技術對下一代消費類設備和應用的影響正在不斷加大。IBM于1989年引入這一技術,芯片設計人員可以通過這一技術提高計算機的性能；多年以來,SiGe提供的高容量硅技術使無線行業發生了革命性的變化。第四代SiGe技術將在全球范圍內更廣泛地支持無線連接及應用?！?/p>
IBM據稱是世界上最早提供SiGe BiCMOS技術的公司,自1995年以來已經向客戶交付了數以億計的SiGe器件。CMOS芯片是數字計算應用的基礎,而硅鍺(SiGe) BiCMOS芯片不僅提供了核心數字計算功能,而且提供了增強的無線電頻率通信和模擬功能。
IBM全新的130納米SiGe BiCMOS技術在各種產品中的應用包括:汽車安全系統,包括用于探測盲區的24GHz雷達以及用于提供碰撞警告或先進巡航控制的77GHz雷達；60GHz Wi-Fi芯片,用于下一代無線個人區域網絡(PAN)和骨干網絡；用于手機的軟件無線電模塊(Software Defined Radio),可將天線接收的信號直接轉換為數字形式；高速模/數和數/模轉換器,用于數據獲取、直接基帶無線電(Direct-to-Baseband Radio)接收器、信號合成等。
據介紹,在130納米的水平上,IBM的SiGe BiCMOS技術與當前的180納米SiGe技術相比提供了更高的性能、更低的能耗以及更高的集成度。 這一技術繼續保持了與IBM專用集成電路技術平臺的兼容,需要芯片代工的客戶因而能夠導入多種具有知識產權的電路模塊和標準單元庫組件。此外,130納米的Foundry平臺還包括了一種RF CMOS技術選項,這為IBM的芯片代工客戶提供更廣泛的選擇,其中包括了RF和混合信號應用。
Sierra Monolithics公司董事會主席Charles Harper表示:“Sierra Monolithics選擇了IBM的SiGe 8HP技術來支持多種要求苛刻的應用,如高度集成的超高速光纖接口模塊組件、高性能數據轉換器和60GHz寬帶無線收發器。IBM在SiGe技術領域處于業界領先地位,我們的設計人員可以以最快速度向市場推出性能卓著的產品。我們對采用此新一代技術之后將能夠實現的新性能及其應用空間感到非常興奮。”
