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Fairchild Semiconductor FDB082N15A MOSFET

訂貨號(hào)：FDB082N15A 品牌：IRC

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

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在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	105 A
最大漏源電壓	150 V
封裝類型	D2PAK
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	8.2 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	294 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
最高工作溫度	+175 °C
寬度	9.65mm
典型柵極電荷@Vgs	64.5 nC @ 10 V
長度	10.67mm
晶體管材料	Si
每片芯片元件數(shù)目	1

暫無

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