Infineon Optimos 5 功率 MOSFET 是 N 溝道 MOSFET，具有非常低的導通電阻和卓越的熱阻。此設備不含 Pb（鉛）和鹵素。它采用表面安裝、PG-HSOF-8 封裝。
Vds（漏極至源極電壓）為 150 V
Rds（最大接通）為 6.3 毫歐姆，ID 為 122 A
Qdss 和 Qg 值分別為 131 nC 和 47 nC
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 122 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | PG-HSOF-8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
