the Infineon mos ? C7 超鍍金 mosfet 系列（ G7 ）將 600V cool mos ? C7 鍍金技術的優點結合在一起， 4pin kelvin 源容量和 to 無鉛（ toll ）封裝改進的熱特性、為高達 3kW 的功率因數校正（ pfc ）等高電流硬切換拓撲以及高端 llc 等諧振電路提供了可能的 smd 解決方案。
提供杰出的 fom r ds （ on ） xe oss 和 r ds （ on ） xq
在最小的占地面積內實現杰出的 r ds （ on
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 44 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | 收費（ hsof － 8 ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.05 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
