當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > IGBT器件 > 低功率IGBT
+比較
訂 貨 號(hào):NXH40B120MNQ0SNG 品牌:Onsemi/安森美
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
ON Semiconductor 3 通道升壓 Q1 電源模塊是包含雙升壓級(jí)的電源模塊。集成的 SiC MOSFET 和 SiC 二極管提供更低的傳導(dǎo)損耗和切換損耗,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和卓越的可靠性。
1200 V 40 m SiC MOSFET
低反向恢復(fù)和快速切換 SiC 二極管
1200 V 旁路和抗并聯(lián)二極管
低電感布局可焊接引腳熱敏電阻
此設(shè)備無鉛,無鹵素 / 無 BFR ,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大功率耗散 | 118 W |
晶體管數(shù) | 2 |
封裝類型 | Q0PACK - 箱 180AJ (無鉛和無鹵化物焊接引腳) |