美光公司日前開始量產其32層（32L） 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態硬碟（SSD）。如圖1所示，這款產品的連續讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB；其功耗較一般硬碟驅動器（HDD）改善了90倍，據稱也更加耐用。

　　Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發現有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認的是各家相關廠商仍致力于使其創新，而且HDD的成本仍較SSD更低廉。因此，我們預計在短期之內，HDD仍將在市場上占據主導地位。

　　圖1：美光Crucial CT750MX300SSD1 750GB SSD

　　圖2所示為Crucial 750GB SSD的正面與背面電路板拆解圖，可以看到其中包含8個美光NAND快閃記憶體封裝。這一數量相當于TechInsights在三星（Samsung）T3 2TB SSD中發現4個48層（48L） 3D NAND封裝數量的兩倍。因此，從封裝數的角度來看，三星在每封裝中的記憶體容量仍然占據優勢。但從晶片層來看是否同樣領先于美光？

　　圖2：采用美光3D NAND的Crucial SSD產品正面與背面電路板圖

　　三星方面已經能夠在每個NAND封裝中加進16塊晶片了，如圖3所示。這意味著每塊面積為99.8平方毫米的晶片可提供32GB儲存容量，或者換算為每平方毫米約320MB。

　　Crucial 750GB SSD中包含8塊美光的封裝，其中單一封裝可容納2塊晶片，面積為165平方毫米。這意味著該記憶體的儲存密度為284MB/mm2，低于三星的320MB/mm2。不過三星的最大優勢在于其48層結構以及20奈米（nm）半位元線間距，相形之下，美光的40nm半位元線間距更為松散。

　　也許我們應該用三星在此之前推出的32層（32L） V-NAND進行比較，該系列產品發布于2014年，同樣采用20nm半位元線間距制造。同時，我們也發現，美光的284MB/mm2位元密度較優于三星在32L V-NAND中實現的127MB/mm2位元密度。

　　圖3：三星K9UGB8S7M 48L V-NAND快閃記憶體

　　圖4顯示三星48L V-NAND晶片脫層后擴散的情形，可看到圖中兩個大型NAND巨集將晶片一分為二。頁面緩沖與周邊電路就位于NAND陣列巨集下方。該陣列巨集以垂直NAND串所使用的源極選擇電晶體以及源極線觸點加以填充。

　　圖4：三星48L V-NAND的擴散級晶片圖