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科普知識(shí)
數(shù)據(jù)分類:
霍爾傳感器

使用垂直霍爾技術(shù)提升速度和方向傳感

發(fā)布日期:2022-04-26 點(diǎn)擊率:125

下載 PDF 版

作者 Marvin Ng,Allegro MicroSystems, LLC

 

簡(jiǎn)介

 

A1262 2D 雙通道霍爾效應(yīng)傳感器 IC 采用 5 引腳 SOT23W 表面安裝型封裝,也可是 4 引腳 SIP 通孔封裝。可在傳統(tǒng)平面磁場(chǎng)方向以及垂直磁場(chǎng)方向運(yùn)行。中心位置平面和垂直霍爾元件的雙重操作可造成:

  • (正交)輸出間固有的 90° 相分離使正交磁極距和氣隙獨(dú)立化

  • 封裝尺寸減小導(dǎo)致 PCB 尺寸減小以及有效總氣隙 (TEAG) 緊縮

  • X-Z 選項(xiàng)提供更小的有效總氣隙 (TEAG) 尺寸感應(yīng)

  • 機(jī)械設(shè)計(jì)靈活性,可根據(jù)可用性和 / 或成本自由選擇環(huán)形磁體

  • 由于使用 SMT 器件可實(shí)現(xiàn)面內(nèi)傳感,通孔器件有被替代的趨勢(shì)。

兩種可用選項(xiàng)可通過(guò)在 Y-Z 軸或 X-Z 軸傳感,賦予系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。相較磁體,這賦予了傳感器 IC 在不同方向的安裝靈活性,其安裝的載體 PCB 也因此獲得了相同的增益。

A1262 是前代器件,如 A1230 和 A3425,的替換解決方案,前代器件的 1D(雙平面)設(shè)計(jì)需對(duì)環(huán)磁極間距進(jìn)行優(yōu)化,且只提供一個(gè)傳感方向。但是,A1262 無(wú)需優(yōu)化環(huán)磁體,并可以配置為四個(gè)不同的傳感方向(見(jiàn)傳感配置部分)。此外,A1262 采用更小型 (SOT23W) 封裝。2D A1262 與雙平面 A1230 及 A3425 的對(duì)比請(qǐng)?jiān)斠?jiàn)表 1。

 

表 1:2D 與 1D (雙平面)對(duì)比

特性器件
 A1262 A1230 A3425
霍爾元件間距
不適用
 1.0 mm
 1.0 mm
固有的正交輸出

 否
傳感配置
4
 1 1
可用封裝
LH (SOT23W)、K (SIP)
 L (SOIC)、K (SIP)
 L (SOIC)、K (SIP)
BOP / BRP (最大值)
 ±40 G
 ±30 G
 ±30 G
輸出極性,B > BOP

 低

 

垂直霍爾元件和平面霍爾元件

 

IC 設(shè)計(jì)與制造的改進(jìn)賦予了垂直霍爾元件對(duì)與 IC 平面平行磁場(chǎng)的靈敏度。平面霍爾元件的功能也遵循相同的原理,對(duì)垂直于 IC 平面的磁場(chǎng)具有靈敏度。此處的 Z 軸靈敏度不受
傳感器 IC 方向或轉(zhuǎn)動(dòng)的影響。因此,使用只含一個(gè)平面霍爾元件的表面貼裝器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)面內(nèi)傳感。

平面霍爾元件按晶片(面內(nèi))長(zhǎng)度和寬度制造,如圖 2 所示。垂直霍爾元件從頭至尾根據(jù)芯片深度制造,如圖 3 所示。

通過(guò)旋轉(zhuǎn) IC,或改變晶片上垂直霍爾感應(yīng)元件方向,傳感器 IC 就可分辨磁場(chǎng)方向和振幅,在多個(gè)空間維度真正傳感。A1262中,X 軸和 Y 軸為垂直霍爾傳感軸,Z 軸為平面霍爾傳感軸(見(jiàn)圖 4)。

A1262 有兩種不同的傳感配置可選為排序選項(xiàng)。區(qū)別在于垂直霍爾元件朝向不同。X-Z 選項(xiàng)中,X 軸方向的垂直霍爾元件與 Z 軸的平面霍爾元件協(xié)同工作。Y-Z 選項(xiàng)中,垂直霍爾元件需旋轉(zhuǎn)以達(dá)到 Y 軸靈敏度。這就使得用戶可根據(jù)環(huán)形磁體選擇如何定位傳感器 IC。該內(nèi)容會(huì)在傳感配置部分作進(jìn)一步解釋。



 

傳感配置

 

A1262 可提供環(huán)磁體獨(dú)立正交輸出的雙通道傳感。其采用兩種不同的 2D 傳感軸配置選項(xiàng),X-Z 軸和 Y-Z 軸。同時(shí)使用垂直霍爾元件和平面霍爾元件以生成正交雙重輸出,類似于使用雙平面?zhèn)鞲衅?IC,如A1230 或 A3425(但是,雙平面型傳感器只有一個(gè)敏感度配置)。定位在環(huán)形磁體正面的平面霍爾元件可感應(yīng)磁極,而垂直霍爾元件可感應(yīng)磁極間轉(zhuǎn)換(如圖 12 所示)。

X-Z 配置(圖 5)中,安置霍爾元件用于檢測(cè)平行于封裝面的磁場(chǎng),橫跨 / 垂直于無(wú)引線側(cè)(X 軸)和垂直于封裝面(Z 軸)的磁場(chǎng),如圖 2 所示。配置垂直霍爾以感應(yīng)磁極(正面)。

在需要 IC 面向位于磁體正面的垂直元件的應(yīng)用中(參見(jiàn)圖 7),由于傳感器 IC 在無(wú)引線側(cè)敏感,IC 可安置于近目標(biāo)處(相對(duì)于 Y-Z 組合)。

 

 

 

Y-Z 配置(圖 6)中,安置霍爾元件用于檢測(cè)平行于跨引線側(cè)(Y 軸)封裝面的磁場(chǎng)和垂直于封裝面(Z 軸)的磁場(chǎng)。配置垂直霍爾以感應(yīng)磁極(正面)。傳統(tǒng)雙通道器件,如 A1230 和 A3425,采用圖 6 中任何配置(A 或 B)都無(wú)法感應(yīng)環(huán)形磁體。

 

 

 

小氣隙性能

 

已有的 X-Z 選項(xiàng)可使磁體傳感器采用極小氣隙安置,用于需要 PCB 垂直于環(huán)磁體的應(yīng)用。這是由于感應(yīng)邊緣為無(wú)引線側(cè)。

圖 7 說(shuō)明了無(wú)引線側(cè)傳感的優(yōu)勢(shì)。無(wú)引線側(cè)傳感使 IC 無(wú)需容納器件引線和相關(guān)的 PCB 焊盤和走線,就可安置于 PCB 邊緣。這造成了有效總氣隙 (TEAG) 明顯減小。Y-Z 選項(xiàng)中,傳感器必須位于 PCB 下一層內(nèi)板。

 

 

 

 

 

 

 

表 2:感應(yīng)選項(xiàng)零件號(hào)

 Y-Z 選項(xiàng) X-Z 選項(xiàng)
 A1262LLH-T A1262LLH-X-T

 

 

 

 

 

雙輸出

 

A1262 是雙輸出傳感器,其輸出時(shí)采用垂直霍爾元件(X 或 Y)和平面霍爾元件 (Z),位于兩處獨(dú)立輸出引腳(分別是 OUTPUTA 和 OUTPUTB)。這是用過(guò)信道的時(shí)分多路復(fù)用實(shí)現(xiàn)的。參閱圖 8 方框圖。各信道每隔約 16 μs(典型值)采樣,以便信道趨穩(wěn),因此兩個(gè)信道大約每 32 μs 可進(jìn)行更新。參閱圖 9。

A1262 采樣率采用相對(duì)較快的時(shí)分多路復(fù)用,可承受高磁輸入頻率,可適用于大多數(shù)應(yīng)用。請(qǐng)聯(lián)系您的 Allegro 代理獲取更多有關(guān)高頻應(yīng)用適應(yīng)性的信息。

 



   

 

固有正交

 

平面元件和垂直元件本質(zhì)上位置相同,這種傳感技術(shù)減少了環(huán)磁體為實(shí)現(xiàn)正交(輸出信道間 90° 相分離)的目標(biāo)優(yōu)化需求。

雙平面?zhèn)鞲衅?IC 只含兩個(gè)正交信道,而環(huán)磁體極對(duì)間距是霍爾元件間距的 4 倍。

 

 

據(jù)上方圖 10 顯示,環(huán)形磁體為適應(yīng)雙平面?zhèn)鞲衅?IC,對(duì)磁極距尺寸優(yōu)化后,造成輸出信號(hào)產(chǎn)生 90° 相分離。而下方圖 11 中顯示了磁極距明顯較大的環(huán)形磁體。較大的磁極距無(wú)法起到優(yōu)化并適應(yīng)雙平面?zhèn)鞲衅?IC 的霍爾元件間距的作用,而是產(chǎn)生明顯較小的輸出信號(hào)相分離。由于 2D 傳感器 IC 不受磁極距影響,輸出信號(hào)仍保持正交(90° 相分離)。

 

 

 

下方圖 12 顯示了 2D 傳感器陣列如何實(shí)現(xiàn)不受磁鐵尺寸影響的正交傳感。

 

  1. IC 位于南磁極。該處的垂直磁通在 Z 軸,只通過(guò)平面霍爾元件,而 X 軸處無(wú)垂直磁通。因此,各輸出信道將輸出與垂直磁通成正比的電壓。Z 信道將輸出正電壓,而 X 信道為零伏特。

  2. IC 位于南 - 北磁極轉(zhuǎn)換處。現(xiàn)在的 Z 信道輸出為零,而 X 信道輸出正電壓。

  3. IC 位于北磁極,造成 Z 信道輸出負(fù)電壓,而 X 信道重回零電壓。

  4. IC 位于北 - 南磁極轉(zhuǎn)變處。Z 信道輸出重新歸零,而 X 信道輸出負(fù)電壓。

 

 

相分離

 

無(wú)論磁極距為多少,A1262 固有相分離為 90°。但是,機(jī)械位置可影響相分離。

如圖 13 所示,傳感器 IC 與旋轉(zhuǎn)軸不對(duì)齊時(shí)(切向偏移),相分離相較 90° 會(huì)偏離幾度。相分離轉(zhuǎn)變的幅度取決于的機(jī)械偏移量。該示例中,由于偏移量較大、環(huán)形磁體直徑小,影響被放大了。

 

 

總結(jié)和結(jié)論

 

A1262 包含新型垂直霍爾傳感技術(shù),為轉(zhuǎn)動(dòng)環(huán)形磁體和電機(jī)的應(yīng)用提供理想解決方案。相比現(xiàn)有的雙通道霍爾鎖存器 IC,采用 A1262 進(jìn)行設(shè)計(jì)就容易得多,整體系統(tǒng)配置和機(jī)械封裝的限制更少、選擇更多。二維雙通道磁感應(yīng)器 IC 提供絕無(wú)僅有的靈活性,減少了環(huán)形磁體目標(biāo)輸出正交的優(yōu)化需求,同時(shí),可選擇兩種不同的垂直感應(yīng)軸,為 IC 和 PCB 安裝提供更多選擇。

  • 設(shè)計(jì)者可在四種傳感方向中任意選擇,也可在表面貼裝 (LH) 或通孔封裝 (K) 之間選擇。

  • 無(wú)論環(huán)磁體如何設(shè)計(jì),2D 傳感提供固有的輸出信號(hào)正交,可選擇使用其他應(yīng)用中現(xiàn)有的環(huán)磁體,或選擇現(xiàn)成的環(huán)磁體。

  • 與舊式雙通道器件(包括采用 SOT 封裝的器件)相比,X-Z 選項(xiàng)提供的是改進(jìn)版 TEAG。

  • 相較使用通孔 (SIP) 封裝傳感器的舊式器件,表面貼裝器件面內(nèi)傳感功能的使用造就了更加小巧的設(shè)計(jì)、更輕質(zhì)的系統(tǒng)和更精簡(jiǎn)的裝配步驟。

更多有關(guān) Allegro A1262 2D 霍爾效應(yīng)傳感器 IC 的信息請(qǐng)參閱 A1262 數(shù)據(jù)表,其他應(yīng)用注意事項(xiàng)請(qǐng)參閱 Allegro 設(shè)計(jì)中心。


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