發布日期:2022-04-26 點擊率:59
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作者 Marvin Ng,Allegro MicroSystems, LLC
A1262 2D 雙通道霍爾效應傳感器 IC 采用 5 引腳 SOT23W 表面安裝型封裝,也可是 4 引腳 SIP 通孔封裝。可在傳統平面磁場方向以及垂直磁場方向運行。中心位置平面和垂直霍爾元件的雙重操作可造成:
(正交)輸出間固有的 90° 相分離使正交磁極距和氣隙獨立化
封裝尺寸減小導致 PCB 尺寸減小以及有效總氣隙 (TEAG) 緊縮
X-Z 選項提供更小的有效總氣隙 (TEAG) 尺寸感應
機械設計靈活性,可根據可用性和 / 或成本自由選擇環形磁體
由于使用 SMT 器件可實現面內傳感,通孔器件有被替代的趨勢。
兩種可用選項可通過在 Y-Z 軸或 X-Z 軸傳感,賦予系統設計靈活性。相較磁體,這賦予了傳感器 IC 在不同方向的安裝靈活性,其安裝的載體 PCB 也因此獲得了相同的增益。
A1262 是前代器件,如 A1230 和 A3425,的替換解決方案,前代器件的 1D(雙平面)設計需對環磁極間距進行優化,且只提供一個傳感方向。但是,A1262 無需優化環磁體,并可以配置為四個不同的傳感方向(見傳感配置部分)。此外,A1262 采用更小型 (SOT23W) 封裝。2D A1262 與雙平面 A1230 及 A3425 的對比請詳見表 1。
表 1:2D 與 1D (雙平面)對比
特性 | 器件 | ||
A1262 | A1230 | A3425 | |
霍爾元件間距 | 不適用 | 1.0 mm | 1.0 mm |
固有的正交輸出 | 是 | 否 | 否 |
傳感配置 | 4 | 1 | 1 |
可用封裝 | LH (SOT23W)、K (SIP) | L (SOIC)、K (SIP) | L (SOIC)、K (SIP) |
BOP / BRP (最大值) | ±40 G | ±30 G | ±30 G |
輸出極性,B > BOP | 低 | 低 | 低 |
IC 設計與制造的改進賦予了垂直霍爾元件對與 IC 平面平行磁場的靈敏度。平面霍爾元件的功能也遵循相同的原理,對垂直于 IC 平面的磁場具有靈敏度。此處的 Z 軸靈敏度不受
傳感器 IC 方向或轉動的影響。因此,使用只含一個平面霍爾元件的表面貼裝器件無法實現面內傳感。
平面霍爾元件按晶片(面內)長度和寬度制造,如圖 2 所示。垂直霍爾元件從頭至尾根據芯片深度制造,如圖 3 所示。
通過旋轉 IC,或改變晶片上垂直霍爾感應元件方向,傳感器 IC 就可分辨磁場方向和振幅,在多個空間維度真正傳感。A1262中,X 軸和 Y 軸為垂直霍爾傳感軸,Z 軸為平面霍爾傳感軸(見圖 4)。
A1262 有兩種不同的傳感配置可選為排序選項。區別在于垂直霍爾元件朝向不同。X-Z 選項中,X 軸方向的垂直霍爾元件與 Z 軸的平面霍爾元件協同工作。Y-Z 選項中,垂直霍爾元件需旋轉以達到 Y 軸靈敏度。這就使得用戶可根據環形磁體選擇如何定位傳感器 IC。該內容會在傳感配置部分作進一步解釋。
A1262 可提供環磁體獨立正交輸出的雙通道傳感。其采用兩種不同的 2D 傳感軸配置選項,X-Z 軸和 Y-Z 軸。同時使用垂直霍爾元件和平面霍爾元件以生成正交雙重輸出,類似于使用雙平面傳感器 IC,如A1230 或 A3425(但是,雙平面型傳感器只有一個敏感度配置)。定位在環形磁體正面的平面霍爾元件可感應磁極,而垂直霍爾元件可感應磁極間轉換(如圖 12 所示)。
X-Z 配置(圖 5)中,安置霍爾元件用于檢測平行于封裝面的磁場,橫跨 / 垂直于無引線側(X 軸)和垂直于封裝面(Z 軸)的磁場,如圖 2 所示。配置垂直霍爾以感應磁極(正面)。
在需要 IC 面向位于磁體正面的垂直元件的應用中(參見圖 7),由于傳感器 IC 在無引線側敏感,IC 可安置于近目標處(相對于 Y-Z 組合)。
Y-Z 配置(圖 6)中,安置霍爾元件用于檢測平行于跨引線側(Y 軸)封裝面的磁場和垂直于封裝面(Z 軸)的磁場。配置垂直霍爾以感應磁極(正面)。傳統雙通道器件,如 A1230 和 A3425,采用圖 6 中任何配置(A 或 B)都無法感應環形磁體。
已有的 X-Z 選項可使磁體傳感器采用極小氣隙安置,用于需要 PCB 垂直于環磁體的應用。這是由于感應邊緣為無引線側。
圖 7 說明了無引線側傳感的優勢。無引線側傳感使 IC 無需容納器件引線和相關的 PCB 焊盤和走線,就可安置于 PCB 邊緣。這造成了有效總氣隙 (TEAG) 明顯減小。Y-Z 選項中,傳感器必須位于 PCB 下一層內板。
表 2:感應選項零件號
Y-Z 選項 | X-Z 選項 |
A1262LLH-T | A1262LLH-X-T |
A1262 是雙輸出傳感器,其輸出時采用垂直霍爾元件(X 或 Y)和平面霍爾元件 (Z),位于兩處獨立輸出引腳(分別是 OUTPUTA 和 OUTPUTB)。這是用過信道的時分多路復用實現的。參閱圖 8 方框圖。各信道每隔約 16 μs(典型值)采樣,以便信道趨穩,因此兩個信道大約每 32 μs 可進行更新。參閱圖 9。
A1262 采樣率采用相對較快的時分多路復用,可承受高磁輸入頻率,可適用于大多數應用。請聯系您的 Allegro 代理獲取更多有關高頻應用適應性的信息。
平面元件和垂直元件本質上位置相同,這種傳感技術減少了環磁體為實現正交(輸出信道間 90° 相分離)的目標優化需求。
雙平面傳感器 IC 只含兩個正交信道,而環磁體極對間距是霍爾元件間距的 4 倍。
據上方圖 10 顯示,環形磁體為適應雙平面傳感器 IC,對磁極距尺寸優化后,造成輸出信號產生 90° 相分離。而下方圖 11 中顯示了磁極距明顯較大的環形磁體。較大的磁極距無法起到優化并適應雙平面傳感器 IC 的霍爾元件間距的作用,而是產生明顯較小的輸出信號相分離。由于 2D 傳感器 IC 不受磁極距影響,輸出信號仍保持正交(90° 相分離)。
下方圖 12 顯示了 2D 傳感器陣列如何實現不受磁鐵尺寸影響的正交傳感。
IC 位于南磁極。該處的垂直磁通在 Z 軸,只通過平面霍爾元件,而 X 軸處無垂直磁通。因此,各輸出信道將輸出與垂直磁通成正比的電壓。Z 信道將輸出正電壓,而 X 信道為零伏特。
IC 位于南 - 北磁極轉換處。現在的 Z 信道輸出為零,而 X 信道輸出正電壓。
IC 位于北磁極,造成 Z 信道輸出負電壓,而 X 信道重回零電壓。
IC 位于北 - 南磁極轉變處。Z 信道輸出重新歸零,而 X 信道輸出負電壓。
無論磁極距為多少,A1262 固有相分離為 90°。但是,機械位置可影響相分離。
如圖 13 所示,傳感器 IC 與旋轉軸不對齊時(切向偏移),相分離相較 90° 會偏離幾度。相分離轉變的幅度取決于的機械偏移量。該示例中,由于偏移量較大、環形磁體直徑小,影響被放大了。
A1262 包含新型垂直霍爾傳感技術,為轉動環形磁體和電機的應用提供理想解決方案。相比現有的雙通道霍爾鎖存器 IC,采用 A1262 進行設計就容易得多,整體系統配置和機械封裝的限制更少、選擇更多。二維雙通道磁感應器 IC 提供絕無僅有的靈活性,減少了環形磁體目標輸出正交的優化需求,同時,可選擇兩種不同的垂直感應軸,為 IC 和 PCB 安裝提供更多選擇。
設計者可在四種傳感方向中任意選擇,也可在表面貼裝 (LH) 或通孔封裝 (K) 之間選擇。
無論環磁體如何設計,2D 傳感提供固有的輸出信號正交,可選擇使用其他應用中現有的環磁體,或選擇現成的環磁體。
與舊式雙通道器件(包括采用 SOT 封裝的器件)相比,X-Z 選項提供的是改進版 TEAG。
相較使用通孔 (SIP) 封裝傳感器的舊式器件,表面貼裝器件面內傳感功能的使用造就了更加小巧的設計、更輕質的系統和更精簡的裝配步驟。
更多有關 Allegro A1262 2D 霍爾效應傳感器 IC 的信息請參閱 A1262 數據表,其他應用注意事項請參閱 Allegro 設計中心。
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